Materiaalifysiikan tutkijaryhmä on Turun yliopistossa kehittänyt uusia rajapintoja, jotka ryhmän mukaan mahdollistavat ylivertaisten nanoelektroniikan komponenttien valmistamisen.
Komponenttien ylivertaisuus perustuu Turun yliopiston tiedotteen mukaan siihen, että yhdistepuolijohdemateriaaleihin normaalisti jäävien materiaalivirheiden määrää saadaan vähennettyä jopa 97 prosenttia standardimenetelmiin verrattuna. Tämän ansiosta laitteessa sähkövirtaa kuljettavat elektronit pääsevät liikkumaan helpommin ja materiaalin sisällä hukkalämpöön johtavien tapahtumien määrä pienenee. Näin laitteista saadaan huomattavasti energiatehokkaampia.
– Kyseessä on keksintö, josta puolijohdeteollisuus ja elektroniikkavalmistajat hyötyvät, joten potentiaaliset markkinat ovat laajat. Kehittämämme menetelmät voidaan yhdistää jo olemassa oleviin nanoelektroniikan tuotantoprosesseihin ilman suuria muutoksia, projektista vastaava erikoistutkija Johnny Dahl kertoo yliopiston tiedotteessa.
Vuoden alussa alkaneen hankkeen tavoitteena on valmistaa laiteprototyyppejä ja valmistella niiden avulla keksintöjen kaupallistamista. Hanke on saanut Tekesiltä rahoitusta.
– Koska komponenttien tehokkuus paranee menetelmillämme niin suuresti, meillä on paljon annettavaa esimerkiksi viidennen sukupolven langattoman viestinnän ja optisen tiedonsiirron teknologian kehitykseen. Menetelmämme soveltuvat hyvin muun muassa mikroprosessorien, transistorien, ledien, laserien sekä puolijohteisiin perustuvien aurinkokennojen ja sensorien tuotantoon. Menetelmät sopivat myös avaruustutkimuksessa tarvittavien elektroniikan materiaalien parantamiseen, mikä laajentaa entisestään kaupallista potentiaalia, Dahl arvioi.
Turun yliopisto on hakenut patentteja tutkimustuloksille, ja useassa maassa patentti on yliopiston mukaan jo myönnetty.